ເປົ້າຫມາຍດັ່ງກ່າວມີຜົນກະທົບຫຼາຍ, ແລະພື້ນທີ່ການພັດທະນາຕະຫຼາດແມ່ນຂະຫນາດໃຫຍ່.ມັນເປັນປະໂຫຍດຫຼາຍໃນຫຼາຍຂົງເຂດ.ເກືອບທຸກອຸປະກອນ sputtering ໃຫມ່ໃຊ້ແມ່ເຫຼັກທີ່ມີພະລັງເພື່ອກ້ຽວວຽນເອເລັກໂຕຣນິກເພື່ອເລັ່ງການ ionization ຂອງ argon ອ້ອມຮອບເປົ້າຫມາຍ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງການ collision ລະຫວ່າງເປົ້າຫມາຍແລະ argon ions.ຕອນນີ້ໃຫ້ເບິ່ງບົດບາດຂອງເປົ້າຫມາຍ sputtering ໃນການເຄືອບສູນຍາກາດ.
ປັບປຸງອັດຕາການ sputtering.ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ, DC sputtering ແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບການເຄືອບໂລຫະ, ໃນຂະນະທີ່ RF sputtering AC ແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບວັດສະດຸແມ່ເຫຼັກເຊລາມິກທີ່ບໍ່ແມ່ນ conductive.ຫຼັກການພື້ນຖານແມ່ນການນໍາໃຊ້ການປ່ອຍອາຍພິດເພື່ອຕີ argon (AR) ion ເທິງຫນ້າດິນຂອງເປົ້າຫມາຍໃນສູນຍາກາດ, ແລະ cations ໃນ plasma ຈະເລັ່ງເພື່ອເລັ່ງກັບດ້ານ electrode ລົບເປັນວັດສະດຸ splashed.ຜົນກະທົບນີ້ຈະເຮັດໃຫ້ວັດສະດຸຂອງເປົ້າຫມາຍບິນອອກໄປແລະຝາກຢູ່ເທິງຊັ້ນຍ່ອຍເພື່ອສ້າງເປັນຮູບເງົາ.
ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ, ມີຫຼາຍລັກສະນະຂອງການເຄືອບຟິມໂດຍຂະບວນການ sputtering: (1) ໂລຫະ, ໂລຫະປະສົມຫຼື insulator ສາມາດສ້າງເປັນຂໍ້ມູນຮູບເງົາ.
(2) ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂການຕັ້ງຄ່າທີ່ເຫມາະສົມ, ຮູບເງົາທີ່ມີອົງປະກອບດຽວກັນສາມາດເຮັດໄດ້ຈາກເປົ້າຫມາຍຫຼາຍແລະບໍ່ເປັນລະບຽບ.
(3) ທາດປະສົມຫຼືທາດປະສົມຂອງວັດສະດຸເປົ້າຫມາຍແລະໂມເລກຸນອາຍແກັສສາມາດຜະລິດໄດ້ໂດຍການເພີ່ມອົກຊີເຈນຫຼືອາຍແກັສທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວອື່ນໆໃນບັນຍາກາດການປ່ອຍອາຍພິດ.
(4) ການປ້ອນຂໍ້ມູນເປົ້າຫມາຍໃນປະຈຸບັນແລະເວລາ sputtering ສາມາດຄວບຄຸມໄດ້, ແລະມັນງ່າຍທີ່ຈະໄດ້ຮັບຄວາມຫນາຂອງຮູບເງົາທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ.
(5) ເມື່ອປຽບທຽບກັບຂະບວນການອື່ນໆ, ມັນເອື້ອອໍານວຍໃຫ້ແກ່ການຜະລິດຮູບເງົາເອກະພາບພື້ນທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່.
(6) ອະນຸພາກ sputtered ແມ່ນເກືອບບໍ່ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບຈາກແຮງໂນ້ມຖ່ວງ, ແລະຕໍາແຫນ່ງຂອງເປົ້າຫມາຍແລະ substrate ສາມາດຈັດລຽງໄດ້ຢ່າງເສລີ.
ເວລາປະກາດ: 17-05-2022